A chemical mechanical polishing slurry comprising an oxidizing agent, a complexing agent, an abrasive, and an optional surfactant, as well as a method for using the chemical mechanical polishing slurry to remove copper alloy, titanium, titanium nitride, tantalum and tantalum nitride containing layers from a substrate. The slurry does not include a separate film-forming agent.

Een chemische mechanische oppoetsende dunne modder bestaand uit een oxyderende agent, uit een complicerende agent, uit een schuurmiddel, en uit een facultatieve capillair-actieve stof, evenals uit een methode om de chemische mechanische oppoetsende dunne modder te gebruiken om koperlegering, titanium, titaniumnitride, tantalium en tantaliumnitride dat lagen bevat uit een substraat te verwijderen. De dunne modder omvat geen afzonderlijke film-forming agent.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Rigid porous carbon structures, methods of making, methods of using and products containing same

> Surface modifying layers for organic thin film transistors

> (none)

~ 00041