Provided is an organic thin film transistor comprising a self-assembled monolayer interposed between a gate dielectric and an organic semiconductor layer. The monolayer is a product of a reaction between the gate dielectric and a precursor to the self-assembled monolayer. The monolayer precursor composition has the formula: X--Y--Z.sub.n, wherein X is H or CH.sub.3 ; Y is a linear or branched C.sub.5 -C.sub.50 aliphatic or cyclic aliphatic connecting group, or C.sub.8 -C.sub.50 group comprising an aromatic group and a C.sub.3 -C.sub.44 aliphatic or cyclic aliphatic connecting group; Z is selected from from --PO.sub.3 H.sub.2, --OPO.sub.3 H.sub.2, benzotriazolyl (--C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), carbonyloxybenzotriazole (--OC(.dbd.O)C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), oxybenzotriazole (--O--C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), aminobenzotriazole (--NH--C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), --CONHOH, --COOH, --OH, --SH, --COSH, --COSeH, --C.sub.5 H.sub.4 N, --SeH, --SO.sub.3 H, --NC, --SiCl(CH.sub.3).sub.2, --SiCl.sub.2 CH.sub.3, amino, and phosphinyl; and n is 1, 2, or 3 provided that n=1 when Z is --SiCl(CH.sub.3).sub.2 or --SiCl.sub.2 CH.sub.3. Methods of making a thin film transistor and an integrated circuit comprising thin film transistors are also provided.

Si est un transistor organique de la couche mince comportant une monocouche de art de l'auto-portrait-assembled interposée entre un diélectrique de porte et une couche organique de semi-conducteur. La monocouche est un produit d'une réaction entre le diélectrique de porte et un précurseur à la monocouche de art de l'auto-portrait-assembled. La composition en précurseur de monocouche a la formule : X -- Y -- Z.sub.n, où X est H ou CH.sub.3 ; Y est un C.sub.5 linéaire ou embranché - groupe se reliant aliphatique aliphatique ou cyclique de C.sub.50, ou C.sub.8 - le groupe C.sub.50 comportant un groupe aromatique et un C.sub.3 - groupe se reliant aliphatique aliphatique ou cyclique de C.sub.44 ; Z est choisi parmi à partir -- de PO.sub.3 H.sub.2, -- OPO.sub.3 H.sub.2, benzotriazolyl (- - C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), carbonyloxybenzotriazole (- - OC(.dbd.O)C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), oxybenzotriazole (- - O -- C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), aminobenzotriazole (- - NH -- C.sub.6 H.sub.4 N.sub.3), -- conhoh, -- cooh, --OH, --SH, -- Cosh, -- COSeH, -- C.sub.5 H.sub.4 N, -- SeH, -- SO.sub.3 H, --NC, -- SiCl(CH.sub.3).sub.2, -- SiCl.sub.2 CH.sub.3, aminé, et phosphinyl ; et n est 1, 2, ou 3 à condition que n=1 quand Z est -- SiCl(CH.sub.3).sub.2 ou -- SiCl.sub.2 CH.sub.3. Des méthodes de la fabrication d'un transistor de la couche mince et d'un circuit intégré comportant des transistors de la couche mince sont également fournies.