A field-effect transistor is made with electrodes (2, 4, 5) and isolators (3) in vertically provided layers, such that at least the electrodes (4, 5) and the isolators (3) form a step (6) oriented vertically relative to the first electrode (2) or the substrate (1). Implemented as a junction field-effect transistor (JFET) or a metal-oxide semiconducting field-effect transistor (MOSFET) the electrodes (2, 5) forming respectively the drain and source electrode of the field-effect transistor or vice versa and the electrode (4) the gate electrode of the field-effect transistor. Over the layers in the vertical step (6) an amorphous, polycrystalline or microcrystalline inorganic or organic semiconductor material is provided and forms the active semiconductor of the transistor contacting the gate electrode (8) directly or indirectly and forming a vertically oriented transistor channel (9) of the p or n type between the first (2) and the second (5) electrode. In a method for fabrication of a field effect transistor a vertical step (6) is formed by a means of a photolithographic process and a soluble amorphous active semiconductor material (8) is deposited over the first electrode (2) and the vertical step (6) such that a vertically oriented transistor channel between the drain and source electrode (2, 5) is obtained. In a JFET the semiconductor material (8) contacts the gate electrode (4) directly. In a MOSFET a vertically oriented gate isolator (7) is provided between the gate electrode (4) and the semiconductor material (8).

Ein fangen-effect Transistor wird mit Elektroden gebildet (2, 4, 5) und Isolatoren (3) in vertikal zur Verfügung gestellten Schichten, so daß mindestens die Elektroden (4, 5) und die Isolatoren, die (3) einen Schritt (6) bilden, orientierten sich vertikal im Verhältnis zu der ersten Elektrode (2) oder dem Substrat (1). Eingeführt als Verzweigung fangen-effect Transistor (JFET) oder Metallhalbleiterfangen-effect Transistor (MOSFET) die Elektroden (2, 5), beziehungsweise den Abfluß und die Quelelektrode des fangen-effect Transistors oder umgekehrt und der Elektrode (4) bildend die Gate-Elektrode des fangen-effect Transistors. Über den Schichten im vertikalen Schritt (6) wird ein formloses, polykristallines oder mikrokristallines anorganisches oder organisches Halbleitermaterial zur Verfügung gestellt und den aktiven Halbleiter des Transistors bildet direkt oder, welche indirekt mit der Gate-Elektrode (8) in Verbindung tritt und eine vertikal orientierte Transistorführung (9) der p oder n Art zwischen dem ersten (2) und der zweiten (5) Elektrode bildet. In einer Methode für Herstellung eines auffangeneffekttransistors wird ein vertikaler Schritt (6) durch Mittel eines photolithographic Prozesses gebildet und ein lösliches formloses aktives Halbleitermaterial (8) ist niedergelegter Überschuß die erste Elektrode (2) und der vertikale Schritt (6) so daß eine vertikal orientierte Transistorführung zwischen dem Abfluß und der Quelelektrode (2, 5) wird erreicht. In einem JFET tritt das Halbleitermaterial (8) mit der Gate-Elektrode (4) direkt in Verbindung. In einem MOSFET wird ein vertikal orientierter Gatterisolator (7) zwischen der Gate-Elektrode (4) und dem Halbleitermaterial (8) zur Verfügung gestellt.