A practical method of manufacturing an organic field-effect transistor is disclosed. By applying the insulating layer, preferably having a thickness of 0.3 .mu.m or less to a substantially planar electrode layer, an organic field-effect transistor can be made having a channel length down to 2 .mu.m, satisfying the condition for voltage amplification at voltages well below 10 V, and having an on/off ratio of about 25.

Μια πρακτική μέθοδος μια οργανική field-effect κρυσταλλολυχνία αποκαλύπτεται. Με την εφαρμογή του στρώματος μόνωσης, έχοντας κατά προτίμηση ένα πάχος 0,3 μu.μ ή λιγότερους σε ένα ουσιαστικά επίπεδο στρώμα ηλεκτροδίων, μια οργανική field-effect κρυσταλλολυχνία μπορεί να γίνει κατοχή ενός μήκους καναλιών κάτω σε 2 μu.μ, ικανοποιητικός τον όρο για την ενίσχυση τάσης στις τάσεις αρκετά κάτω από 10 Β, και έχοντας επάνω/από την αναλογία περίπου 25.