A nitride semiconductor device of high quality and excellent crystallinity and the method of manufacturing the same, wherein a nitride series compound semiconductor having at least an element belonging to the group IIIA and nitrogen is grown directly on a substrate, X-ray diffraction peaks of the nitride series compound semiconductor consist only of the peaks from the C-face of the hexagonal system, and the half width of an X-ray rocking curve at (0002) peak in the C-surface is 0.2 degrees of less, and wherein the method includes a step of introducing an organic metal compound at least containing a group IIIA element and a plasma activated nitrogen source into a reaction vessel to grow a nitride series compound semiconductor on the surface of a substrate, in which the ratio for the amount of the group IIIA element and nitrogen atom supplied (ratio for the number of atoms) is group IIIA element: nitrogen atom=1:50,000 to 1:1,000,000.

Μια συσκευή ημιαγωγών νιτριδίων της υψηλής ποιότητας και της άριστης διαύγειας και της μεθόδου το ίδιο πράγμα, όπου ένας σύνθετος ημιαγωγός σειράς νιτριδίων που έχει ο πιό ελάχιστα σε ένα στοιχείο που ανήκει στην ομάδα IIIA και το άζωτο αυξάνεται άμεσα σε ένα υπόστρωμα, των ακτίνων X αιχμές διάθλασης του σύνθετου ημιαγωγού σειράς νιτριδίων αποτελείται μόνο από τις αιχμές από το γ-πρόσωπο του εξαγωνικού συστήματος, και το μισό πλάτος μιας των ακτίνων X λικνίζοντας καμπύλης (0002) στην αιχμή στη γ-επιφάνεια είναι 0,2 βαθμοί λιγότεροι, και όπου η μέθοδος περιλαμβάνει ένα βήμα της εισαγωγής μιας οργανικής ένωσης μετάλλων σε λιγότεροι που περιλαμβάνουν ένα στοιχείο ομάδας IIIA και μια ενεργοποιημένη πλάσμα πηγή αζώτου σε ένα σκάφος αντίδρασης για να αυξηθεί μια σειρά νιτριδίων θτuρηνγ τχε σαμε, ωχερεην α νητρηδε σερηες θομποuνδ σεμηθονδuθτορ χαβηνγ ατ λεαστ αν ελεμεντ ψελονγηνγ το τχε γροuπ ΗΗΗΑ ανδ νητρογεν ης γροων δηρεθτλυ ον α σuψστρατε, Ξ-ραυ δηφφραθτηον πεακς οφ τχε νητρηδε σερηες θομποuνδ σεμηθονδuθτορ θονσηστ ονλυ οφ τχε πεακς φρομ τχε Θ-φαθε οφ τχε χεξαγοναλ συστεμ, ανδ τχε χαλφ ωηδτχ οφ αν Ξ-ραυ ροθκηνγ θuρβε ατ (0002) πεακ ην τχε Θ-σuρφαθε ης 0.2 δεγρεες οφ λεσς, ανδ ωχερεην τχε μετχοδ ηνθλuδες α στεπ οφ ηντροδuθηνγ αν οργανηθ μεταλ θομποuνδ ατ λεαστ θονταηνηνγ α γροuπ ΗΗΗΑ ελεμεντ ανδ α πλασμα αθτηβατεδ νητρογεν σοuρθε ηντο α ρεαθτηον βεσσελ το γροω α νητρηδε σερηες θομποuνδ σεμηθονδuθτορ ον η επιφάνεια ενός υποστρώματος, στο οποίο η αναλογία για το ποσό του ατόμου στοιχείων και αζώτου ομάδας IIIA παρείχε (αναλογία για τον αριθμό ατόμων) είναι στοιχείο ομάδας IIIA: άζωτο atom=1:50,000 στις 1:1,000,000.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Miniaturized chip scale ball grid array semiconductor package

> MEMS-based optical bench

> (none)

~ 00041