This invention provides a Group III-V compound semiconductor that is free from the limitation of the shape and the size, is economical, is excellent in photo-electric characteristics (photo-electric conductivity photo-electromotive current, photo-electromotive force, quantum efficiency), can freely select the optical gap over a broad range, has high performance as a photo-semiconductor, has limited change with time, and is excellent in response, environmental resistance characteristics and high temperature resistance. The Group III-V compound semiconductor contains a Group III element and a Group V element of the Periodic Table as principal components, and contains also 0.1 atom % to 40 atom % of hydrogen atoms and 100 ppm to 20 atom %, based on the sum of the atomic numbers of the Group III element and the Group V element, of at least one element selected from among Be, Mg, Ca, Zn and Sr.

Deze uitvinding verstrekt een Groep IIIV samenstellingshalfgeleider die van de beperking van de vorm vrij is en de grootte, economisch is, uitstekend is in foto-elektrische kenmerken (foto-elektrische geleidingsvermogen foto-elektromotorische huidige, foto-elektromotorische kracht, quantumefficiency), kan het optische hiaat over een brede waaier vrij selecteren, heeft hoge prestaties aangezien een foto-halfgeleider, verandering met tijd heeft beperkt, en uitstekend in reactie, milieuweerstandskenmerken en weerstand op hoge temperatuur geweest. Groep IIIV samenstellingshalfgeleider bevat een Groep III element en een Groep V element van de Periodieke Lijst als belangrijkste componenten, en bevat ook 0,1 atom% tot 40 atom% van waterstofatomen en 100 p.p.m. aan 20 atoom %, dat op de som atoomaantallen van Groep III element wordt gebaseerd en Groep V element, van minstens één element dat van wordt geselecteerd onder zijn, Mg, Ca, Zn en SR.