An electroplating process for filling damascene structures on substrates, such as wafers having partially fabricated integrated circuits thereon, includes immersing a substrate, under bias, into a copper plating solution to eliminate thin seed layer dissolution and reduce copper oxide, an initiation step to repair discontinuities in a copper seed layer, superfill plating to fill the smallest features, reverse plating to remove the adsorbed plating additives and their by-products from the substrate, a second superfill plating to fill intermediate size features, a second reverse plating to remove adsorbed plating additives and their by-products from the substrate, and a bulk fill plating with high current density to fill large features. The superfill and reverse plating operations may be repeated more than twice prior to bulk filling in order to provide the desired surface morphology.

Un procedimento placcante per riempire le strutture damascene sui substrati, quali le cialde parzialmente che fabbricano i circuiti integrati su ciò, include l'immersione del substrato, sotto polarizzazione, in una soluzione di ramatura per eliminare la dissoluzione sottile di strato del seme e per ridurre l'ossido di rame, un punto di inizio alle discontinuità di riparazione in uno strato di rame del seme, la placcatura del superfill per riempire le più piccole caratteristiche, la placcatura d'inversione per rimuovere gli additivi di placcaggio adsorbiti ed i loro sottoprodotti dal substrato, una seconda placcatura del superfill per riempire le caratteristiche intermedie di formato, una seconda placcatura di inverso per rimuovere adsorbito placcando gli additivi ed i loro sottoprodotti dal substrato e una placcatura all'ingrosso del materiale di riempimento con l'alta densità di corrente per riempire le grandi caratteristiche. Il superfill ed i funzionamenti d'inversione di placcatura possono essere ripetuti più di due volte prima di massa che si riempie per fornire la morfologia di superficie voluta.