The demodulating device for a chrominance signal includes an oscillator with a controlled frequency, and an adjuster for adjusting the oscillator frequency as a function of a charge voltage of a memory capacitor. The adjuster preferably includes a fine adjustment channel to output a first adjustment value that depends on the charge voltage of the memory capacitor, and a coarse adjustment channel to output a second adjustment value. The second adjustment value is modified when the charge voltage of the memory capacitor is not within a given range. The device is used, for example, in integrated SECAM decoders.

Le dispositif de démodulation pour un signal de chrominance inclut un oscillateur avec une fréquence commandée, et un régleur pour ajuster la fréquence d'oscillateur en fonction d'une tension de charge d'un condensateur de mémoire. Le régleur inclut de préférence un canal d'ajustement fin pour produire une première valeur d'ajustement qui dépend de la tension de charge du condensateur de mémoire, et un canal de réglage approché pour produire une deuxième valeur d'ajustement. La deuxième valeur d'ajustement est modifiée quand la tension de charge du condensateur de mémoire n'est pas dans une marge donnée. Le dispositif est utilisé, par exemple, dans des décodeurs intégrés de SECAM.

 
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> Semiconductor device structures incorporating "buried" mirrors and/or "buried" metal electrodes and a process for their fabrication

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