The invention relates to a device structure and crystal growth process for
making the same, whereby single-crystal semiconductor layers are formed
over metal or composite layers. The metal layers function as buried
reflectors to enhance the performance of LEDs, solar cells, and
photodiodes. The structure may also have application to laser diodes. The
structures are made by a modification of a well-established metallic
solution growth process. The lateral overgrowth process can be enhanced by
imposing an electric current at the growth interface (termed liquid-phase
electro-epitaxy). However, the use of an electric current is not crucial.
The epitaxial lateral overgrowth technique was also applied to silicon
growth on metal-masked silicon substrates.
Die Erfindung bezieht auf einer Vorrichtung Struktur und einem Kristallwachstumprozeß für das Bilden dasselbe, hingegen Einzelnkristall Halbleiterschichten über Metall oder zusammengesetzten Schichten gebildet werden. Das Metall überlagert Funktion als begrabene Reflektoren, um die Leistung von LED, von Solarzellen und von Fotodioden zu erhöhen. Die Struktur kann Anwendung zu den Laser Dioden auch haben. Die Strukturen werden durch eine Änderung eines gut eingerichteten metallischen Lösung Wachstumprozesses gebildet. Der seitliche Überwuchterungprozeß kann erhöht werden, indem man einen elektrischen Strom an der Wachstumschnittstelle auferlegt (benannt worden FlüssigphasenElectroepitaxie). Jedoch ist der Gebrauch von einem elektrischen Strom nicht entscheidend. Die Epitaxial- seitliche Überwuchterungtechnik wurde auch am Silikonwachstum auf Metall-verdeckten Silikonsubstraten angewendet.