The present invention provides a process for etching a corrosion layer, such as oxide or hydroxide, from and concomitantly forming a passivating layer on the surface of metallic nanoparticles. A reaction mixture is prepared by dispersing sodium hexafluoroacetylacetonate (Na(hfa)) and a metallic particle powder having oxide or hydroxide corrosion layers in hexane solvent. The mixture is allowed to react for a time sufficient to etch the oxide or hydroxide groups from the particulate surface and passivate the surfaces with (hfa). Hexane may be evaporated from the mixture and any excess Na(hfa) separated from the reaction mixture by sublimation or rinsing with a polar aprotic solvent. In an embodiment of the present invention, aluminum particles are first etched and passivated and then used to form ohmic contacts with p-type silicon. This etching/passivation improves the electrical properties of the contact.

La présente invention fournit un processus pour graver à l'eau-forte une couche de corrosion, telle que l'oxyde ou l'hydroxyde, de et former simultanément une couche isolante sur la surface des nanoparticles métalliques. Un mélange de la réaction est préparé en dispersant le hexafluoroacetylacetonate de sodium (Na(hfa)) et une poudre métallique de particules ayant des couches de corrosion d'oxyde ou d'hydroxyde dans le dissolvant d'hexane. On permet au le mélange de réagir pendant un certain temps suffisamment pour graver à l'eau-forte les groupes d'oxyde ou d'hydroxyde de la surface particulaire et pour passiver les surfaces avec (hfa). De l'hexane peut être évaporé du mélange et de n'importe quel Na(hfa) excessif séparés du mélange de la réaction par sublimation ou le rinicage par du dissolvant aprotic polaire. Dans un mode de réalisation de la présente invention, des particules en aluminium sont d'abord gravées à l'eau-forte et passivées et puis employées pour former les contacts ohmiques avec le p-type silicium. Cet etching/passivation améliore les propriétés électriques du contact.