Semiconductor structures and a method of forming semiconductor structures The avalanche breakdown characteristics, such as breakdown voltage and impact ionisation coefficient, of a semiconductor structure can be controlled by controlling the Brilluin-zone-averaged energy bandgap () of the material forming the structure. Consequently, the avalanche breakdown characteristics of a device may be tailored independently of the bandgap E.sub.g. The Brillouin-zone-averaged energy bandgap () may be controlled by controlling the composition of the semiconductor used or by straining its lattice.

Halbleiterstrukturen und eine Methode der Formung des Halbleiters strukturiert die Lawine Zusammenbrucheigenschaften, wie Durchbruchsspannung und Stoßionisation Koeffizient, einer Halbleiterstruktur kann gesteuert werden, indem man das Brilluin-Zone-Durchschnitt berechnete Energie bandgap () des Materials steuert, welches die Struktur bildet. Infolgedessen können die Lawine Zusammenbrucheigenschaften einer Vorrichtung vom bandgap E.sub.g unabhängig hergestellt werden. Das Brillouin-Zone-Durchschnitt berechnete Energie bandgap () kann gesteuert werden, indem man den Aufbau des Halbleiters steuert, der benutzt wird oder indem man sein Gitter belastet.