A method and device for removing film from a substrate are provided that take advantage of a remote plasma source to etch away undesired portions of films, such as dielectric films formed on a substrate. To that end, the method includes forming a plasma remotely with respect to the process chamber, from which a flow is created that is directed toward the substrate. The substrate is of a type having opposed major surfaces with a peripheral surface extending therebetween. A film, such as a dielectric film, is disposed on one of the opposed major surfaces and on the peripheral surface. The opposed major surface having the film thereon is shielded from the flow of reactive radicals while the peripheral surface is left exposed. In this fashion, the flow is maintained for a sufficient amount of time to remove film present on the peripheral surface.

Un metodo e un dispositivo per la rimozione della pellicola da un substrato sono a condizione che approfitti di una fonte a distanza del plasma per incidere le parti all'acquaforte indesiderate assenti delle pellicole, quali le pellicole dielettriche formate su un substrato. A tale scopo, il metodo include formare un plasma a distanza riguardo all'alloggiamento trattato, da cui un flusso è generato che è orientato verso il substrato. Il substrato è di un tipo che oppone le superfici importanti con un'estensione di superficie periferica therebetween. Una pellicola, quale una pellicola dielettrica, è disposta di su una delle superfici principali opposte e sulla superficie periferica. La superficie principale opposta che ha la pellicola su ciò è protetta dal flusso dei radicali reattivi mentre la superficie periferica è lasciata esposta. In questo modo, il flusso è effettuato per un tempo sufficiente rimuovere la pellicola presente sulla superficie periferica.