The invention described herein defines a system and a method for selectively controlling the sensitivity of a region of a magnetoresistive element to an incident magnetic field, by applying an external magnetic field to the magnetoresistive element. A number of applications to non-volatile data storage are described, as is a magnetic sweep element based on a FET structure. Finally, the storage media and recording modes (in-plane vs. perpendicular) best suited to the proposed applications are analyzed, and the desired or optimal characteristics of the proposed devices are discussed.

Die Erfindung, die hierin beschrieben wird, definiert ein System und eine Methode für die Empfindlichkeit einer Region einer Feldplatte zu einem Ereignis selektiv steuern, das magnetisch ist, fangen, indem sie ein externes magnetisches anwendet, auffangen zur Feldplatte auf. Eine Anzahl von Anwendungen auf permanentem Datenspeicher werden beschrieben, wie ein magnetisches Schleifeelement, das auf einer FET Struktur basiert. Schließlich werden die Speichermedien und die Aufnahmebetriebe (Infläche gegen Senkrechtes) gut entsprochen zu den vorgeschlagenen Anwendungen analysiert, und die gewünschten oder optimalen Eigenschaften der vorgeschlagenen Vorrichtungen werden besprochen.

 
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< Etching method and etching apparatus method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

> Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor and a light-emitting device using group III nitride compound semiconductor

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