A buffer layer 2 made of aluminum nitride (AlN) is formed on a substrate 1 and is formed into an island pattern such as a dot pattern, a striped pattern, or a grid pattern such that substrate-exposed portions are formed in a scattered manner. A group III nitride compound semiconductor 3 grows epitaxially on the buffer layer 2 in a longitudinal direction, and grows epitaxially on the substrate-exposed portions in a lateral direction. As a result, a group III nitride compound semiconductor 3 which has little or no feedthrough dislocations 4 is obtained. Because the region where the group III nitride compound semiconductor 3 grows epitaxially in a lateral direction, on region 32, has excellent crystallinity, forming a group III nitride compound semiconductor device on the upper surface of the region results in improved device characteristics.

Ένα στρώμα 2 απομονωτών φιαγμένο από νιτρίδιο αργιλίου (AlN) διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα 1 και διαμορφώνεται σε ένα σχέδιο νησιών όπως ένα σχέδιο σημείων, ένα ριγωτό σχέδιο, ή ένα σχέδιο πλέγματος έτσι ώστε οι υπόστρωμα-εκτεθειμένες μερίδες διαμορφώνονται με έναν διεσπαρμένο τρόπο. Μια ομάδα ΙΙΙ σύνθετος ημιαγωγός 3 νιτριδίων αυξάνεται epitaxially στο στρώμα 2 απομονωτών σε μια διαμήκη κατεύθυνση, και αυξάνεται epitaxially στις υπόστρωμα-εκτεθειμένες μερίδες σε μια πλευρική κατεύθυνση. Κατά συνέπεια, μια ομάδα ΙΙΙ σύνθετος ημιαγωγός 3 νιτριδίων που έχει ελάχιστες ή καμία feedthrough εξαρθρώσεις 4 λαμβάνεται. Επειδή η περιοχή όπου η ομάδα ΙΙΙ σύνθετος ημιαγωγός 3 νιτριδίων αυξάνεται epitaxially σε μια πλευρική κατεύθυνση, στην περιοχή 32, έχει την άριστη διαύγεια, διαμορφώνοντας μια ομάδα ΙΙΙ σύνθετη συσκευή ημιαγωγών νιτριδίων στην ανώτερη επιφάνεια των αποτελεσμάτων περιοχών στα βελτιωμένα χαρακτηριστικά συσκευών.