One aspect of the invention provides a consistent metal electroplating technique to form void-less metal interconnects in sub-micron high aspect ratio features on semiconductor substrates. One embodiment of the invention provides a method for filling sub-micron features on a substrate, comprising reactive precleaning the substrate, depositing a barrier layer on the substrate using high density plasma physical vapor deposition; depositing a seed layer over the barrier layer using high density plasma physical vapor deposition; and electro-chemically depositing a metal using a highly resistive electrolyte and applying a first current density during a first deposition period followed by a second current density during a second period.

Um aspecto da invenção fornece uma técnica electroplating do metal consistente ao formulário que o metal void-less interconecta em características elevadas submicrónicas da relação de aspecto em carcaças do semicondutor. Uma incorporação da invenção fornece um método enchendo características submicrónicas em uma carcaça, compreender reactive precleaning a carcaça, depositando uma camada de barreira na carcaça usando o deposition físico do vapor do plasma elevado da densidade; depositando uma semente mergulhe sobre a camada de barreira usando o deposition físico do vapor do plasma elevado da densidade; e eletroquìmica depositar um metal usando um eletrólito altamente resistive e aplicando uma primeira densidade atual durante um primeiro período do deposition seguiu por uma segunda densidade atual durante um segundo período.