An oxide dielectric film (7) is formed of barium strontium titanate to have a thickness of 300 to 600 .ANG., and a first platinum layer (81) is deposited thereon by, e.g., sputtering at a temperature not higher than 250.degree. C. to have a thickness of 250 to 500 .ANG.. Further, a second platinum layer (82) is deposited on the first platinum layer (81) by, e.g., sputtering at a temperature of 250 to 500.degree. C. to have a thickness of 250 to 500 .ANG.. Since the first platinum layer (81) has less grain boundary and is hard to connect to that of the second platinum layer (82), with less grain boundary diffusion caused, even if a hydrogen sintering of an aluminum interconnection layer (11) is performed, reduction species are unlikely to reach the oxide dielectric film (7) through the grain boundary. That suppresses deterioration of the oxide dielectric film (7) to avoid an increase of leak current therein. Moreover, since the surface area of the second platinum layer (82) increases, the adherence between the second platinum layer (82) and an interlayer insulating film (10) provided thereon is improved.

Uma película dieléctrica do óxido (7) é dada forma do titanate do strontium do bário para ter uma espessura do ANG. 300 a 600, e uma primeira camada da platina (81) é depositada thereon perto, por exemplo, sputtering em uma temperatura não mais altamente do que 250.degree. C. para ter uma espessura do ANG. 250 a 500. Mais mais, uma segunda camada da platina (82) é depositada na primeira camada da platina (81) perto, por exemplo, sputtering em uma temperatura de 250 a 500.degree. C. para ter uma espessura do ANG. 250 a 500. Desde que a primeira camada da platina (81) tem menos limite de grão e é dura de conectar àquele da segunda camada da platina (82), com menos difusão do limite de grão causada, mesmo se sintering do hidrogênio de uma camada de alumínio da interconexão (11) é executado, as espécies da redução são improváveis alcançar a película dieléctrica do óxido (7) com o limite de grão. Isso suprime a deterioração da película dieléctrica do óxido (7) para evitar nisso um aumento da corrente do escape. Além disso, desde que a área de superfície da segunda camada da platina (82) aumenta, o adherence entre a segunda camada da platina (82) e uma película isolando do interlayer (10) fornecida thereon é melhorado.