A semiconductor device having a chamfered silicide layer and a manufacturing method of the same. The semiconductor device includes: a first insulation layer overlying a semiconductor substrate; gate structures including first conductive layer patterns formed on the first insulation layer, and second conductive layer patterns which are formed on the first conductive layer patterns, wherein the lower sides of the second conductive layer patterns are substantially perpendicular to the major surface of the semiconductor substrate and the upper sides of the second conductive layer patterns are chamfered; and a second insulation layer formed with a first width W on the second conductive layer patterns, wherein the sidewalls of the second insulation layer overhang the upper edges of the second conductive layer patterns. In the semiconductor device manufacture, in forming undercut regions which define the chamfered upper edges of the metal silicide layer patterns, isotropic dry etching is carried out, wherein the isotropic dry etching can be performed simultaneously with ashing of photoresist patterns, or immediately after the ashing process in the same chamber. In either case, after the ashing of the photoresist patterns, an isotropic wet etching can be carried out immediately after performing an existing stripping process, so as to form the undercut regions.

Un dispositivo de semiconductor que tiene una capa chaflanada del silicide y un método de fabricación igual. El dispositivo de semiconductor incluye: una primera capa del aislamiento que cubre un substrato del semiconductor; las estructuras de la puerta incluyendo los primeros patrones conductores de la capa formados en la primera capa del aislamiento, y los patrones en segundo lugar conductores de la capa que se forman en los primeros patrones conductores de la capa, en donde los lados más bajos de los segundos patrones conductores de la capa son substancialmente perpendiculares a la superficie principal del substrato del semiconductor y de los lados superiores de los segundos patrones conductores de la capa se chaflanan; y una segunda capa del aislamiento formó con una primera anchura W en los segundos patrones conductores de la capa, en donde los flancos de la segunda proyección de la capa del aislamiento los bordes superiores de la segunda capa conductora modelaron. En la fabricación del dispositivo de semiconductor, en la formación de las regiones socavadas que definen los bordes superiores chaflanados de los patrones de la capa del silicide del metal, de la aguafuerte seca isotrópica se realiza, en donde la aguafuerte seca isotrópica se puede realizar simultáneamente con la incineración de los patrones del photoresist, o inmediatamente después del proceso de incineración en el mismo compartimiento. En cualquier caso, después de incinerar de los patrones del photoresist, de una aguafuerte mojada isotrópica se puede llevar hacia fuera inmediatamente después de realizar un proceso que pela el existir, así que como formar las regiones socavadas.