A method for preparing a BSCCO-2223 oxide superconducting article includes annealing an oxide superconductor article comprised of BSCCO-2223 oxide superconductor at a temperature selected from the range of about 500.degree. C..ltoreq.T.ltoreq.787.degree. C. and an annealing atmosphere having an oxygen pressure selected from within the region having a lower bound defined by the equation, P.sub.O2 (lower).gtoreq.3.5.times.10.sup.10 exp(-32,000/T+273) and an upper bound defined by the equation, P.sub.O2 (upper).ltoreq.1.1.times.10.sup.12 exp(-32,000/T+273). The article is annealed for a time sufficient to provide at least a 10% increase in critical current density as compared to the critical current density of the pre-anneal oxide superconductor article. An oxide superconductor having the formula Bi.sub.2-y Pb.sub.y Sr.sub.2 Ca.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.10+x, where 0.ltoreq.x.ltoreq.1.5 and where 0.ltoreq.y.ltoreq.0.6 is obtained, the oxide superconductor characterized by a critical transition temperature of greater than 111.0 K, as determined by four point probe method.

Een methode om een bscco-2223 oxyde supergeleidend artikel voor te bereiden omvat het ontharden van een artikel van de oxydesuprageleider dat van bscco-2223 oxydesuprageleider bij een temperatuur wordt samengesteld die uit de waaier van ongeveer 500.degree. C..ltoreq.T.ltoreq.787.degree. C. wordt geselecteerd en een onthardende atmosfeer die een zuurstofdruk heeft die uit binnen het gebied wordt geselecteerd dat verbindend lager heeft bepaald door de vergelijking, P.sub.O2 (lower).gtoreq.3.5.times.10.sup.10 exp (-32,000/T+273) en een bovenleer bond bepaald door de vergelijking, P.sub.O2 (upper).ltoreq.1.1.times.10.sup.12 exp (-32,000/T+273). Het artikel wordt voor een tijd voldoende onthard te verstrekken minstens een 10% verhoging van kritieke huidige dichtheid in vergelijking tot de kritieke huidige dichtheid van het artikel van de oxydesuprageleider pre-onthardt. Een oxydesuprageleider die de formule bi.sub.2-Y Pb.sub.y Sr.sub.2 Ca.sub.2 Cu.sub.3 O.sub.10+x heeft, waar 0.ltoreq.x.ltoreq.1.5 en waar 0.ltoreq.y.ltoreq.0.6 wordt verkregen, de oxydesuprageleider die door een kritieke overgangstemperatuur wordt gekenmerkt van groter dan 111,0 K, zoals die door de methode van de vier puntsonde wordt bepaald.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Semiconductor device having chamfered silicide layer and method for manufacturing the same

> Headspace sampling and monitoring systems and methods

> (none)

~ 00042