A semiconductor bipolar transistor structure having improved electrostatic discharge (ESD) robustness is provided as well as a method of fabricating the same. Specifically, the inventive semiconductor structure a semiconductor structure comprises a bipolar transistor comprising a lightly doped intrinsic base; a heavily doped extrinsic base adjacent to said intrinsic base, a heavily doped/lightly doped base doping transition edge therebetween, said heavily doped/lightly doped base doping transition edge defined by an edge of a window; and a silicide region extending on said extrinsic base, wherein said silicide region is completely outside said window.

Μια διπολική δομή κρυσταλλολυχνιών ημιαγωγών που έχει βελτιώσει την ηλεκτροστατική ευρωστία απαλλαγής (ESD) παρέχεται καθώς επίσης και μια μέθοδος το ίδιο πράγμα. Συγκεκριμένα, η εφευρετική δομή ημιαγωγών μια δομή ημιαγωγών περιλαμβάνει μια διπολική κρυσταλλολυχνία περιλαμβάνοντας μια ελαφριά ναρκωμένη εγγενή βάση μια βαριά ναρκωμένη εξωγενής βάση δίπλα στην εν λόγω εγγενή βάση, μια βαριά ναρκωμένη/ελαφριά ναρκωμένη βάση που ναρκώνει την άκρη μετάβασης, εν λόγω βαριά ναρκωμένη/ελαφριά ναρκωμένη βάση ναρκώνοντας την άκρη μετάβασης που καθορίζεται από μια άκρη ενός παραθύρου και μια περιοχή μεταλλικής ένωσης πυριτίου που επεκτείνεται στην εν λόγω εξωγενή βάση, όπου η εν λόγω περιοχή μεταλλικής ένωσης πυριτίου είναι εντελώς έξω εν λόγω παράθυρο.