The invention includes a semiconductor processing method. A first material comprising silicon and nitrogen is formed. A second material is formed over the first material, and the second material comprises silicon and less nitrogen, by atom percent, than the first material. An imagable material is formed on the second material, and patterned. A pattern is then transferred from the patterned imagable material to the first and second materials. The invention also includes a structure comprising a first layer of silicon nitride over a substrate, and a second layer on the first layer. The second layer comprises silicon and is free of nitrogen. The structure further comprises a third layer consisting essentially of imagable material on the second layer.

L'invention inclut une méthode de transformation de semi-conducteur. Un premier matériel comportant le silicium et l'azote est formé. Un deuxième matériel est excédent formé le premier matériel, et le deuxième matériel comporte le silicium et moins d'azote, par des pour cent d'atome, que le premier matériel. Un matériel imagable est formé sur le deuxième matériel, et modelé. Un modèle est alors transféré à partir du matériel imagable modelé aux premiers et deuxièmes matériaux. L'invention inclut également une structure comportant une première couche du nitrure de silicium au-dessus d'un substrat, et une deuxième couche sur la première couche. La deuxième couche comporte le silicium et est exempte d'azote. La structure autre comporte une troisième couche consistant essentiellement en matériel imagable sur la deuxième couche.