The integrated memory has m>1 bit lines that are connected to an input of a read-write amplifier via a switching element. Only one switching element is conductively connected for each read or write access. The memory is provided with a switching unit that influences read or write access occurring by way of the read-write amplifier and bit lines. The circuit unit is provided with an activation input. A column-end decoder has a first decoder stage and m second decoder stages. The outputs of the second decoder stages are connected to a control input for each of the switching elements. The output of the first decoder stage is connected to the activation input of the switching unit.

Das integrierte Gedächtnis hat m 1 Bitlinien, die an einen Eingang eines Lese-Schreibverstärkers über ein Schaltung Element angeschlossen werden. Nur ein zugeschaltetes Element wird leitend für jedes gelesen angeschlossen oder Zugang schreibt. Das Gedächtnis wird mit einer Umschalteinheit versehen, daß Einflüsse lesen oder schreiben den Zugang, der über den Lese-Schreibverstärker auftritt und bissen Linien. Die Stromkreismaßeinheit wird mit einem Aktivierung Eingang versehen. Ein Spalte-Endedecoder hat ein erstes Decoderstadium und m zweites Decoderstadien. Die Ausgänge der zweiten Decoderstadien werden an eine Steuerung angeschlossen, die für jedes der Schaltung Elemente eingegeben wird. Der Ausgang des ersten Decoderstadiums wird an den Aktivierung Eingang der Umschalteinheit angeschlossen.