A power semiconductor component includes a semiconductor body having a beed peripheral surface, a cathode electrode and an anode electrode. A materially joined connection between at least the anode electrode and the semiconductor body is not produced by alloying. The anode electrode has a diameter being greater than the cathode electrode and smaller than the semiconductor body.

Un componente a semiconduttore di alimentazione include un corpo a semiconduttore che ha a beed la superficie periferica, un elettrodo del catodo e un elettrodo dell'anodo. Un collegamento materialmente unito fra almeno l'elettrodo dell'anodo ed il corpo a semiconduttore non è prodotto unendo in lega. L'elettrodo dell'anodo ha un diametro essere più grande dell'elettrodo del catodo e più piccolo del corpo a semiconduttore.

 
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< Thyristor with breakdown region

> Semiconductor component with scattering centers within a lateral resistor region

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