A semiconductor component has a semiconductor body with at least one integrated lateral resistor. The lateral resistor is formed with a dopant concentration in the resistor region. The resistor region is located in a region which is accessible from the surface of the semi-conductor component and it has a defined dopant concentration. Scattering centers are provided in the region of the lateral resistor which reduce a temperature dependency of the lateral resistor.

Um componente do semicondutor tem um corpo do semicondutor com ao menos o um resistor lateral integrado. O resistor lateral é dado forma com uma concentração de dopant na região do resistor. A região do resistor é ficada em uma região que seja acessível da superfície do componente do semicondutor e tem uma concentração de dopant definida. Dispersando os centros são fornecidos na região do resistor lateral que reduzem uma dependência da temperatura do resistor lateral.