A power diode includes at least one semiconductor body having an inner zone f a first conductivity type and a given doping level, a cathode zone of the first conductivity type and a doping level higher than the given doping level, and an anode zone of a second conductivity type opposite the first conductivity type and a doping level higher than the given doping level. The inner zone has at least a first region with a first predetermined thickness being dimensioned for a required blocking voltage and a second region with a second thickness being greater than the first predetermined thickness by at least a factor of 1.4. The area and/or the minority carrier life of first and second partial diodes is dimensioned for causing a current flowing through the first partial diode in a conductive phase to be greater than a current flowing through the second partial diode by at least a factor of 2.

Диод силы вклюает по крайней мере одно тело полупроводника имея внутреннюю зону ф первый тип проводимости и, котор дали давать допинг вровень, зона катода первого типа проводимости и давая допинг ровного высокого чем, котор дали давать допинг вровень, и зона анода второго типа проводимости напротив первого типа проводимости и давая допинг ровного высокого чем, котор дали давать допинг вровень. Внутренняя зона имеет по крайней мере первую зону с первым предопределила толщину будучи проставлянной размеры для необходима преграждая напряжения тока и вторая зона при вторая толщина greater than первое предопределила толщину по крайней мере фактором 1.4. Зона and/or жизнь несущей несовершеннолетия сперва и во-вторых частично диоды проставлены размеры для причинять в настоящее время пропускать через первый частично диод в проводном участке, котор нужно быть greater than в настоящее время пропускать через второй частично диод по крайней мере фактором 2.