A semiconductor component has a semiconductor body with at least on pn-junction therein, extending to the surface of the semiconductor body, and has a passivation layer composed of boron-doped, amorphous, hydrogenous carbon (A-C:H) which covers at least the portion of the pn-junction extending to the surface, the boron content of the passivation layer being between 0.1 per mil and 4% by weight. The passivation layer is manufactured on the semiconductor body by deposition from a high-frequency, low-pressure plasma which is generated in a mixture of gaseous, organic compounds containing carbon and hydrogen and gaseous, organic boron compounds.

Un componente del semiconductor tiene un cuerpo del semiconductor con por lo menos encendido la pn-ensambladura en esto, extendiendo a la superficie del cuerpo del semiconductor, y tiene una capa de la pasivación integrada por el carbón boro-dopado, amorfo, hydrogenous (A-C:H) que cubre por lo menos la porción de la pn-ensambladura que extiende a la superficie, al contenido del boro de la capa de la pasivación que está entre 0.1 por milipulgada y al 4% por el peso. La capa de la pasivación es manufacturada en el cuerpo del semiconductor por la deposición de un plasma de alta frecuencia, de baja presión que se genere en una mezcla de los compuestos gaseosos, orgánicos que contienen el carbón e hidrógeno y los compuestos gaseosos, orgánicos del boro.