A method for performing inspection of raised electrical contacts, such as BGA and flip-chip-type contacts, and associated underlying vias. An electrical or electronic device or component having a major surface is provided including an array of closely spaced apart BGA flip-chip-type raised contacts with respective underlying vias. An area-of-interest (AOI), including at least one BGA or flip-chip-type contact/via structure is selected. The row containing the AOI is isolated, by computed tomography imaging, via electrical testing, or by removal, for example, from the electrical or electronic device or component. The AOI is mounted on an X-ray transparent substrate; and X-ray transmission imaging of the AOI is performed to inspect the at least one BGA or flip-chip-type contact/via structure for the presence of misalignments, voids, and delaminations.

Une méthode pour effectuer l'inspection des contacts électriques augmentés, tels que BGA et renverser-morceau-type contacts, et vias fondamentaux associés. Un dispositif ou un composant électrique ou électronique ayant une surface importante est fourni comprenant un choix de renverser-morceau-type distant étroitement espacé contacts augmentés de BGA en vias fondamentaux respectifs. Un secteur-de-intérêt (AOI), incluant au moins un BGA ou renverser-morceau-type structure de contact/via est choisi. La rangée contenant l'AOI est isolée, par formation image de tomographie calculée, par l'intermédiaire de l'essai électrique, ou par le déplacement, par exemple, du dispositif ou du composant électrique ou électronique. L'AOI est monté sur un substrat transparent de rayon X ; et la formation image de transmission de rayon X de l'AOI est exécutée pour inspecter l'au moins un BGA ou renverser-morceau-type structure de contact/via pour assurer la présence des déviations d'alignement, des vides, et des décollements.