A method of forming a via structure is provided. In the method, a dielectric layer is formed on an anti-reflective coating (ARC) layer covering a first metal layer; and a transition metal layer is formed on the dielectric layer. An ultra-thin photoresist layer is formed on the transition metal layer, and the ultra-thin photoresist layer is patterned with short wavelength radiation to define a pattern for a via. The patterned ultra-thin photoresist layer is used as a mask during a first etch step to transfer the via pattern to the transition metal layer. The first etch step includes an etch chemistry that is selective to the transition metal layer over the ultra-thin photoresist layer and the dielectric layer. The transition metal layer is employed as a hard mask during a second etch step to form a contact hole corresponding to the via pattern by etching portions of the dielectric layer.

Eine Methode der Formung von von a über Struktur wird zur Verfügung gestellt. In der Methode wird eine dielektrische Schicht auf einer Anti-reflektierenden Schicht (BOGEN) Schicht gebildet, die eine erste Metallschicht umfaßt; und eine Übergang Metallschicht wird auf der dielektrischen Schicht gebildet. Eine ultradünne Photoschicht wird auf der Übergang Metallschicht gebildet, und die ultradünne Photoschicht patterned mit kurzer Wellenlängestrahlung, um ein Muster für a über zu definieren. Die patterned ultradünne Photoschicht wird wie eine Schablone während eines ersten Ätzungschrittes verwendet, um über Muster auf die Übergang Metallschicht zu bringen. Der erste Ätzungschritt schließt eine Ätzungchemie ein, die zur Übergang Metallschicht über der ultradünnen Photoschicht und der dielektrischen Schicht vorgewählt ist. Die Übergang Metallschicht wird wie eine harte Schablone während eines zweiten Ätzungschrittes eingesetzt, um eine Kontaktbohrung zu bilden, die über Muster entspricht, indem man Teile der dielektrischen Schicht ätzt.