A ferroelectric thin film coated substrate is obtained by a producing method of forming a metal oxide buffer layer on a substrate, forming a first crystalline ferroelectric thin film thereon by means of a MOCVD method and forming a second ferroelectric thin film with a film thickness thicker than that of the first ferroelectric thin film thereon by means of the MOCVD method at a temperature lower than that of the first ferroelectric thin film. This producing method makes it possible to produce a ferroelectric thin film, where its surface is dense and even, a leakage current properties are excellent and sufficiently large remanent spontaneous polarization is shown, at a lower temperature.

Ein ferroelectric beschichtetes Substrat des Dünnfilms wird durch eine produzierende Methode der Formung einer Metalloxid-Pufferschicht auf einem Substrat erhalten, darauf bildet einen ersten kristallenen ferroelectric Dünnfilm mittels einer MOCVD Methode und dick bildet einen zweiten ferroelectric Dünnfilm mit einer Schichtstärke als die des ersten ferroelectric Dünnfilms darauf mittels der MOCVD Methode bei einer Temperatur niedriger als die des ersten ferroelectric Dünnfilms. Diese produzierende Methode macht es möglich, einen ferroelectric Dünnfilm zu produzieren, in dem seine Oberfläche dicht und gleichmäßig ist, ein Durchsickern, das gegenwärtige Eigenschaften ausgezeichnet sind und genug große remanente spontane Polarisation wird, bei einer niedrigeren Temperatur gezeigt.