In a method of manufacturing a semiconductor device, trench sections are formed on a side of one of opposing surface portions of a substrate. At lest a part of each of the trench sections is covered by a power supply metal layer which is formed on the one surface portion of the substrate. The substrate is fixed to a support such that the one surface of the substrate fits to the support. A chip is separated from the substrate using the trench sections. A conductive film is formed on side surface portions of the chip and the other surface portion of the chip. Then, the chip is separated from the support.

Σε μια μέθοδο μια συσκευή ημιαγωγών, τα τμήματα τάφρων διαμορφώνονται πλευράς μια από την αντίσταση των μερίδων επιφάνειας ενός υποστρώματος. Για να μην ένα μέρος κάθε ένα από τα τμήματα τάφρων καλύπτεται από ένα στρώμα μετάλλων παροχής ηλεκτρικού ρεύματος που διαμορφώνεται στη μια μερίδα επιφάνειας του υποστρώματος. Το υπόστρωμα καθορίζεται σε μια υποστήριξη έτσι ώστε η μια επιφάνεια των τακτοποιήσεων υποστρωμάτων στην υποστήριξη. Ένα τσιπ είναι χωρισμένο από το υπόστρωμα που χρησιμοποιεί τα τμήματα τάφρων. Μια αγώγιμη ταινία διαμορφώνεται στις δευτερεύουσες μερίδες επιφάνειας του τσιπ και την άλλη μερίδα επιφάνειας του τσιπ. Κατόπιν, το τσιπ είναι χωρισμένο από την υποστήριξη.