A method for fabricating a thermally stable ultralow dielectric constant film comprising Si, C, O and H atoms in a parallel plate chemical vapor deposition process utilizing plasma enhanced chemical vapor deposition ("PECVD") process is disclosed. Electronic devices containing insulating layers of thermally stable ultralow dielectric constant materials that are prepared by the method are further disclosed. To enable the fabrication of thermally stable ultralow dielectric constant film, specific precursor materials are used, such as, cyclic siloxanes and organic molecules containing ring structures, for instance, tetramethylcyclotetrasiloxane and cyclopentene oxide.

Un método para fabricar una película termal estable de la constante dieléctrica del ultralow que abarca los átomos del silicio, de C, de O y de H en un proceso realzado plasma de proceso paralelo de la deposición de vapor químico de la deposición de vapor químico de la placa que utiliza ("PECVD") se divulga. Los dispositivos electrónicos que contienen capas de aislamiento de los materiales termal estables de la constante dieléctrica del ultralow que son preparados por el método se divulgan más a fondo. Para permitir la fabricación de la película termal estable de la constante dieléctrica del ultralow, los materiales específicos del precursor se utilizan, por ejemplo, los siloxanes cíclicos y las moléculas orgánicas que contienen las estructuras del anillo, óxido por ejemplo, del tetramethylcyclotetrasiloxane y del cyclopentene.