A method for fabricating an infrared-emitting light-emitting diode in which a layer sequence is applied onto a semiconductor substrate, preferably composed of GaAs. The layer sequence has, proceeding from the semiconductor substrate, a first AlGaAs cover layer, a GaAs and/or AlGaAs containing active layer and a second AlGaAs cover layer. In which case, the first AlGaAs cover layer and the active layer are fabricated by a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) method and the second AlGaAs cover layer is fabricated by a liquid phase epitaxy (LPE) method. Furthermore, an electrically conductive coupling-out layer having a thickness of at least about 10 .mu.m is deposited on the second AlGaAs cover layer by the LPE method. The coupling-out layer is optically transparent in the infrared spectral region.

Un metodo per fabbricare un diodo luminescente infrared-emitting in cui una sequenza di strato è applicata su un substrato a semiconduttore, composto preferibilmente di GaAs. La sequenza di strato ha, continuando dal substrato a semiconduttore, da un primo strato della copertura di AlGaAs, da un GaAs e/o da AlGaAs contenenti lo strato attivo e un secondo strato della copertura di AlGaAs. Nel qual caso, il primo strato della copertura di AlGaAs e lo strato attivo sono fabbricati tramite un'epitassia di fase del vapore organico del metallo (MOVPE) il metodo ed il secondo strato della copertura di AlGaAs è fabbricato con un metodo liquido di epitassia di fase (LPE). Ancora, uno strato elettricamente conduttivo dell'accoppiamento-fuori che ha uno spessore almeno di mu.m circa 10 è depositato sul secondo strato della copertura di AlGaAs con il metodo di LPE. Lo strato dell'accoppiamento-fuori è otticamente trasparente nella regione spettrale infrarossa.