Magnetoresistive devices are disclosed which include a changeable magnetic region within which at least two magnetic states can be imposed. Upon magnetoresistive electrical interaction with the device, the relative orientation of the magnetic states of the changeable magnetic region, and a proximate reference magnetic region, can be sensed thereby providing a binary data storage capability. The present invention limits the electrical interaction to only a preferred portion of the changeable magnetic region, e.g., the portion within which the two magnetic states can be dependably predicted to be substantially uniform, and opposite of one another. Structures for limiting the electrical interaction to this preferred portion of the changeable magnetic region are disclosed, and include smaller interaction regions, and alternating areas of insulation and conductive, interaction regions, disposed proximate the changeable magnetic region. The principles of the present invention can be applied to magnetic random access memory ("MRAM") arrays, which employ giant magnetoresistive ("GMR") cells, or magnetic tunnel junction ("MTJ") cells, at the intersections of bitlines and wordlines, and also to magnetic sensors such as magnetic data storage devices having access elements used to access data on a magnetic data storage medium.

Magnetoresistive apparaten worden onthuld die een veranderlijk magnetisch gebied omvatten binnen wie minstens twee magnetische staten kunnen worden opgelegd. Op magnetoresistive elektrointeractie met het apparaat, kan de relatieve richtlijn van de magnetische staten van het veranderlijke magnetische gebied, en een naburig verwijzings magnetisch gebied, worden ontdekt daardoor verstrekkend een binair vermogen van de gegevensopslag. De onderhavige uitvinding beperkt de elektrointeractie tot slechts een aangewezen gedeelte van het veranderlijke magnetische gebied, b.v., het gedeelte waarbinnen de twee magnetische staten betrouwbaar kunnen elkaar wezenlijk eenvormig worden voorspeld om te zijn, en tegengestelde van. De structuren voor het beperken van de elektrointeractie tot dit aangewezen gedeelte van het veranderlijke magnetische gebied worden onthuld, en omvatten kleinere interactiegebieden, en de afwisselende gebieden van isolatie en geleidend, interactiegebieden, schikten naburig het veranderlijke magnetische gebied. De principes van de onderhavige uitvinding kunnen op de magnetische series van het directe toeganggeheugen ("MRAM") worden toegepast, die reuze magnetoresistive ("GMR") cellen, of cellen de magnetische van de tunnelverbinding ("MTJ"), bij de kruisingen van bitlines en wordlines tewerkstellen, en ook aan magnetische sensoren zoals magnetische gegevensopslaggelegenheden die toegangselementen hebben die aan toegangsgegevens worden gebruikt over magnetische gegevensopslagmiddelen.