A sparse-carrier device including a crystal structure (10) formed of a first material and having a crystallographic facet (26) with a width (w) and a length and quantum dots (30) formed of a second material and positioned in at least one row on the crystallographic facet (26). The at least one row of quantum dots (30) extends along the length of the crystallographic facet (26) and is at least one quantum dot (30) wide (w) and a plurality of quantum dots long. The number of quantum dot rows determined by the width (w) of the crystallographic facet (26). The row of quantum dots (30) form a building block for circuits based on sparse or single electron devices.

Um dispositivo do escasso-portador including uma estrutura de cristal (10) deu forma de um primeiro material e de ter um facet crystallographic (26) com uma largura (w) e os pontos de um comprimento e do quantum (30) dados forma de um segundo material e posicionados ao menos em uma fileira no facet crystallographic (26). A ao menos uma fileira de pontos do quantum (30) estende ao longo do comprimento do facet crystallographic (26) e é ao menos um ponto do quantum (30) (w) largo e um plurality dos pontos do quantum longos. O número das fileiras do ponto do quantum determinadas pela largura (w) do facet crystallographic (26). A fileira do quantum pontilha (30) o formulário que um bloco de edifício para circuitos baseou em dispositivos escassos ou únicos do elétron.

 
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