In a semiconductor laser device: an active layer; a first upper cladding layer of a first conductive type; a current confinement layer of a second conductive type; a second upper cladding layer of the first conductive type; and a contact layer of the first conductive type are formed above a GaN layer of the second conductive type. In the semiconductor laser device: a groove is formed through the full thickness of the current confinement layer so as to form an index-guided structure; the active layer is a single or multiple quantum well active layer formed by alternately forming at least one In.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N well and a plurality of In.sub.x2 Ga.sub.1-x2 N barriers, where 0.ltoreq.x2 En un dispositivo del laser del semiconductor: una capa activa; una primera capa superior del revestimiento de un primer tipo conductor; una capa actual del confinamiento de un segundo tipo conductor; una segunda capa superior del revestimiento del primer tipo conductor; y una capa del contacto del primer tipo conductor se forma sobre una capa de GaN del segundo tipo conductor. En el dispositivo del laser del semiconductor: un surco se forma con el grueso completo de la capa actual del confinamiento para formar una estructura i'ndice-dirigida; está una capa la capa activa activa del pozo solo o múltiple del quántum formada alternativamente formando por lo menos un pozo de In.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N y una pluralidad de barreras de In.sub.x2 Ga.sub.1-x2 N, donde 0.ltoreq.x2