A semiconductor device including a semiconductor substrate, an insulating layer formed on the substrate, a dielectric organic layer formed on the insulating layer and having a dielectric constant of not more than 3.0, and an interconnection layer in contact with the insulating layer in the dielectric organic layer, wherein the upper surface of the interconnection layer is formed higher than the upper surface of the dielectric organic layer, and a method of manufacture thereof.

Ein Halbleiterelement einschließlich ein Halbleitersubstrat, eine Isolierschicht bildete sich auf dem Substrat, einer dielektrischen organischen Schicht, die auf der Isolierschicht und Haben einer Dielektrizitätskonstante von nicht mehr als 3.0 gebildet wurden, und einer Verbindung Schicht in Verbindung mit der Isolierschicht in der dielektrischen organischen Schicht, worin die Oberfläche der Verbindung Schicht stark als die Oberfläche der dielektrischen organischen Schicht gebildet wird, und einer Methode der Herstellung davon.