A method for forming quantum dots using agglomeration of a conductive layer and a semiconductor device resulting therefrom are disclosed. The method includes the steps of forming a first insulating layer on a substrate, forming a conductive layer on the first insulating layer, forming a second insulating layer on the conductive layer, and annealing the conductive layer between the first, and second insulating layers to agglomerate the conductive layer.

Une méthode pour former des points de quantum en utilisant l'agglomération d'une couche conductrice et un dispositif de semi-conducteur résultant de là sont révélés. La méthode inclut les étapes de former une première couche de isolation sur un substrat, formant une couche conductrice sur la première couche de isolation, formant une deuxième couche de isolation sur la couche conductrice, et recuit de la couche conductrice entre la première, et des couches en second lieu de isolation pour agglomérer la couche conductrice.