A semiconductor integrated circuit is provided which includes bump electrodes having a uniform height. The semiconductor integrated circuit includes: a semiconductor substrate (wafer) having a plurality of bump electrode formation areas and a bump electrode non-formation area respectively defined on a front surface thereof; a first electrode pad formed in the bump electrode non-formation area; a second electrode pad formed in each bump electrode formation area; and a bump electrode formed on each second electrode pad; wherein the first electrode pad is used for supplying a plating electric current to the second electrode pads through the semiconductor substrate in formation of the bump electrodes by electrolytic plating.

Eine Halbleiterintegrierte Schaltung wird zur Verfügung gestellt, die die Stoßelektroden miteinschließt, die eine konstante Höhe haben. Die Halbleiterintegrierte Schaltung schließt ein: ein Halbleitersubstrat (Oblate) eine Mehrzahl der Stoßelektrode Anordnung Bereiche und einen Stoßelektrode Nichtanordnung Bereich habend beziehungsweise definiert auf einer vorderen Oberfläche davon; eine erste Elektrode Auflage bildete sich im Stoßelektrode Nichtanordnung Bereich; eine zweite Elektrode Auflage bildete sich in jedem Stoßelektrode Anordnung Bereich; und eine Stoßelektrode bildete sich auf jeder zweiten Elektrode Auflage; worin die erste Elektrode Auflage für das Liefern eines elektrischen Stromes des Überzuges an die zweiten Elektrode Auflagen durch das Halbleitersubstrat in der Anordnung der Stoßelektroden durch elektrolytischen Überzug benutzt wird.