A data storage device includes a resistive cross point array of memory cells. Each memory cell includes a memory element and a resistive element connected in series with the memory element. The resistive elements substantially attenuate any sneak path currents flowing through shorted memory elements during read operations. The data storage device may be a Magnetic Random Access Memory ("MRAM") device.

Μια συσκευή αποθήκευσης στοιχείων περιλαμβάνει μια ανθεκτική διαγώνια σειρά σημείου κυττάρων μνήμης. Κάθε κύτταρο μνήμης ένα στοιχείο μνήμης και ένα ανθεκτικό στοιχείο που συνδέονται περιλαμβάνει στη σειρά με το στοιχείο μνήμης. Τα ανθεκτικά στοιχεία μειώνουν ουσιαστικά οποιων δήποτε γλιστρούν τα ρεύματα πορειών που διατρέχουν τα στοιχεία μνήμης κατά τη διάρκεια των διαβασμένων διαδικασιών. Η συσκευή αποθήκευσης στοιχείων μπορεί να είναι μια μαγνητική τυχαία συσκευή μνήμης πρόσβασης ("MRAM").