A method for fabricating high efficiency light-emitting diode (LED) adhered
to a transparent substrate is disclosed. To begin with, forming a
semiconductor substrate, is followed by sequentially forming an etching
stopper, a first type ohmic contact layer, a double heterostructure and a
second ohmic contact layer. Afterwards, the transparent substrate, such as
preferably glass, is adhered onto the second ohmic contact layer and then
the GaAs substrate is removed away. After that, the first type cladding
layer and the undoped active layer is etched in turn by using the second
type ohmic contact layer as the etching stopper. Finally, a first
electrode is formed on the first type ohmic contact layer and a second
electrode is formed on the second type ohmic contact layer, respectively.
The present invention utilizes some features, such as high transmittance
and lower absorptivity, of the glass adhered to the second ohmic contact
layer to visible light for increasing luminous intensity of the LED.
Moreover, the absorption of visible light of the GaAs substrate can be
significantly improved by decreasing the use of the GaAs material.
Un método para fabricar eficacia alta que el diodo electroluminoso (LED) adhirió a un substrato transparente se divulga. Comenzar con, formando un substrato del semiconductor, es seguido secuencialmente formando un tapón de la aguafuerte, un primer tipo capa óhmica del contacto, una heteroestructura doble y una segunda capa óhmica del contacto. Luego, el substrato transparente, tal como preferiblemente de cristal, se adhiere sobre la segunda capa óhmica del contacto y entonces el substrato del GaAs se quita lejos. Después de ése, el primer tipo capa del revestimiento y la capa activa undoped es grabado al agua fuerte alternadamente usando el segundo tipo capa óhmica del contacto como el tapón de la aguafuerte. Finalmente, un primer electrodo se forma en el primer tipo capa óhmica del contacto y un segundo electrodo se forma en el segundo tipo capa óhmica del contacto, respectivamente. La actual invención utiliza algunas características, tales como alto transmittance y absorbencia más baja, del cristal adherido a la segunda capa óhmica del contacto a la luz visible para aumentar la intensidad luminosa del LED. Por otra parte, la absorción de la luz visible del substrato del GaAs puede ser mejorada perceptiblemente disminuyendo el uso del material del GaAs.
