To provide a method of removing a catalyst element from a crystalline silicon film obtained by solid phase growth using the catalyst element promoting crystallization, phosphorus is implanted selectively to the crystalline silicon film having the catalyst element whereby a portion of the silicon film implanted with phosphorus is made amorphous, and when a thermal annealing treatment is performed and the silicon film is heated, the catalyst element is moved to an amorphous portion implanted with phosphorus having large gettering capacity by which the concentration of the catalyst element in the silicon film is lowered and a semiconductor device is fabricated by using the silicon film.

Para fornecer um método de remover um elemento do catalizador de uma película cristalina do silicone obtida pelo crescimento da fase contínua usando o elemento do catalizador que promove a cristalização, o phosphorus implanted seletivamente à película cristalina do silicone que tem o elemento do catalizador por meio de que uma parcela da película do silicone implanted com phosphorus é feita amorfa, e quando um tratamento térmico do recozimento é executado e a película do silicone está aquecida, o elemento do catalizador é movido para uma parcela amorfa implanted com o phosphorus que tem a capacidade gettering grande por que a concentração do elemento do catalizador na película do silicone é abaixada e um dispositivo de semicondutor é fabricado usando a película do silicone.