Channel doping is an effective method for controlling V.sub.th, but if V.sub.th shifts to the order of -4 to -3 V when forming circuits such as a CMOS circuit formed from both an n-channel TFT and a P-channel TFT on the same substrate, then it is difficult to control the V.sub.th of both TFTs with one channel dope. In order to solve the above problem, the present invention forms a blocking layer on the back channel side, which is a laminate of a silicon oxynitride film (A) manufactured from SiH.sub.4, NH.sub.3, and N.sub.2 O, and a silicon oxynitride film (B)manufactured from SiH.sub.4 and N.sub.2 O. By making this silicon oxynitride film laminate structure, contamination by alkaline metallic elements from the substrate can be prevented, and influence by stresses, caused by internal stress, imparted to the TFT can be relieved.

Давать допинг канала будет эффективный метод для контролировать V.sub.th, но если V.sub.th переносит к заказу от -4 до -3 в формируя цепи such as цепь cmos сформированная и от н-kanala TFT и П-kanal TFT на такой же субстрат, после этого оно трудн для того чтобы контролировать V.sub.th обоих TFTs с одним аэролаком канала. Для того чтобы разрешить вышеуказанную проблему, вымысел настоящего момента формирует преграждая слой на стороной тайный канал передачи секретной информации, которая будет ламинат пленки oxynitride кремния (A) изготовленной от SiH.sub.4, NH.sub.3, и N.sub.2 о, и пленкой oxynitride кремния (B)manufactured от SiH.sub.4 и N.sub.2 о. Путем делать эту структуру ламината пленки oxynitride кремния, загрязнение алкалическими металлическими элементами от субстрата может быть предотвращено, и влияние усилиями, причинило внутренне imparted усилием, к TFT можно сбросить.