A cleaning agent for use in the manufacture of a semiconductor device comprising an aqueous solution containing a quarternary ammonium salt and a fluoro compound, or an aqueous solution containing a quarternary ammonium salt and a fluoro compound, as well as an organic solvent selected from the group consisting of amides, lactones, nitriles, alcohols and esters. In the semiconductor device manufacturing process, after forming a mask with a photoresist, a wiring structure is formed by dry etching of a conductive layer, wherein a protecting deposition film has been formed on side walls of the conductive layer. Use of the cleaning agent enables the protecting deposition film to be removed in a highly reliable manner with the surface of the conductive layer being decontaminated and cleaned such that no corrosion of the conductive layer occurs.

Een schoonmakende agent voor gebruik in de vervaardiging die van een halfgeleiderapparaat uit een oplossing in water bestaat die een quarternary ammoniumzout en een fluorosamenstelling bevat, of een oplossing in water die een quarternary ammoniumzout en een fluorosamenstelling, evenals een organisch oplosmiddel bevat dat uit de groep wordt geselecteerd die uit amiden, lactones, nitril, alcoholen en esters bestaat. In het halfgeleiderapparaat productieproces, na het vormen van een masker met photoresist, wordt een bedradingsstructuur gevormd door droge ets van een geleidende laag, waarin een beschermende depositofilm op zijmuren van de geleidende laag is gevormd. Het gebruik van de schoonmakende agent laat dat de beschermende depositofilm toe worden verwijderd op een hoogst betrouwbare manier met de oppervlakte van de geleidende wordt ontsmet en schoongemaakte laag die dusdanig dat geen corrosie van de geleidende laag voorkomt.