A method of forming a film, which comprises the steps of coating a liquid raw material comprising a precursor of film-forming material dissolved in a solvent, on a surface of substrate, and forming a solid film on the surface of substrate by subjecting the substrate to a plurality of heat treatments differing in heating temperature from each other. The heat treatments differing heating temperatures from each other are performed over the same single hot plate. The film to be formed may be an organic SOG film. There is also disclosed a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises the steps of coating a liquid raw material for forming an organosilicon oxide film on a surface of semiconductor substrate, and subjecting the semiconductor substrate to a first heat treatment where the semiconductor substrate is heated in an oxidizing atmosphere and at a temperature of 200.degree. C. or more.

Eine Methode der Formung eines Filmes, der die Schritte vom Beschichten eines flüssigen Rohstoffes enthält, der einen Vorläufer von filmbildendem Material enthält, löste sich in einem Lösungsmittel, auf einer Oberfläche des Substrates und der Formung eines festen Filmes auf der Oberfläche des Substrates auf, indem sie das Substrat einer Mehrzahl der Wärmebehandlungen unterwarf, die in der Heizung Temperatur von einander sich unterscheiden. Die unterscheidenen Temperaturen Heizung der Wärmebehandlungen von einander sind durchgeführter Überschuß die gleiche einzelne heiße Platte. Der gebildet zu werden Film kann ein organischer SOG Film sein. Wird auch einer Methode der Produktion eines Halbleiterelements, das die Schritte vom Beschichten eines flüssigen Rohstoffes für die Formung eines Organosiliziumoxidfilmes auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrates enthält, und des Unterwerfens des Halbleitersubstrates einer ersten Wärmebehandlung freigegeben, in der das Halbleitersubstrat in einer oxidierenden Atmosphäre und bei einer Temperatur von 200.degree geheizt wird. C. oder mehr.