Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device, in which a substrate is successively transferred through a first film-forming chamber for forming a semiconductor layer of a first conductivity type, a second film-forming chamber for forming an i-type semiconductor layer, and a third film-forming chamber for forming a semiconductor layer of a second conductivity type, thereby forming successively a semiconductor layer of a first conductivity type, an i-type semiconductor layer, and a semiconductor layer of a second conductivity type on the substrate. The method comprises the step of simultaneously transferring the substrates arranged within the first, second and third film-forming chambers and each having a semiconductor layer into adjacent chambers on the downstream side.

Показан метод изготовлять прибора на полупроводниках, в который субстрат последовательно перенесен через первую film-forming камеру для формировать слой полупроводника первого типа проводимости, вторую film-forming камеру для формировать слой полупроводника я-tipa, и третью film-forming камеру для формировать слой полупроводника второго типа проводимости, таким образом формируя последовательно слой полупроводника первого типа проводимости, слой полупроводника я-tipa, и слой полупроводника второго типа проводимости на субстрате. Метод состоит из шага одновременно переносить субстраты аранжированные в пределах первых, вторых и третьих film-forming камер и каждого имея слой полупроводника в смежные камеры на downstream стороне.