The present invention is to provide a magnetoresistance effect type head which well generates the information stored in a memory device at high memory density while limiting the generation of Barkhausen noises. The magnetoresistance effect type head comprises a magnetoresistance effect element which contains a free magnetic layer having an overhang portion which is overhung and spread in left and right directions and is changed in resistance by a change in the azimuth of the magnetization of the free magnetic layer, and paired upper and lower magnetic wall control layers which are in contact with the upper and under surfaces of the left and right overhang portions of the free magnetic layer respectively and restrict the movement of the magnetic wall of the free magnetic layer.

A invenção atual deve fornecer um tipo cabeça do efeito da magnetorresistência que bom gere a informação armazenada em um dispositivo de memória na densidade elevada da memória quando limitar a geração de Barkhausen propalar. O tipo cabeça do efeito da magnetorresistência compreende um elemento do efeito da magnetorresistência que contenha uma camada magnética livre que tem uma parcela da saliência que seja pendida sobre e propagação em sentidos esquerdos e direitos e mudada na resistência por uma mudança no azimuth da magnetização da camada magnética livre, e as camadas magnéticas superiores e mais baixas emparelhadas do controle da parede que estão no contato com a parte superior e sob superfícies das parcelas esquerdas e direitas da saliência da camada magnética livre respectivamente e restringem o movimento da parede magnética da camada magnética livre.