The process comprises a step of growing epitaxially mixed crystals of a compound semiconductor represented by the composition formula In.sub.x (Ga.sub.1-y Al.sub.y).sub.1-x P on a GaAs substrate 12 to form an epi-wafer having an n-type cladding layer 14 (0.45 Der Prozeß enthält einen Schritt vom Wachsen der Epitaxial- Mischkristalle eines Verbindungshalbleiters, der durch die Aufbauformel In.sub.x dargestellt wird (Ga.sub.1-y Al.sub.y).sub.1-x P auf einem GaAs Substrat 12, zum einer Epioblate zu bilden, die eine Nart Umhüllungschicht 14 hat (0.45