A Ge-added SiO.sub.2 thin film (12) is formed on a glass substrate (10), and metal film (14) is formed thereon (S11 to S13). By etching the metal film (14), a pair of electrodes (14a, 14b) mutually opposed at a predetermined interval is formed(S14). An insulating thin film (16) is formed on the insulating film (12) and the electrodes (14a, 14b) (S15). While applying ultraviolet radiation, a high voltage is applied between the electrodes (14a, 14b) to perform ultraviolet excitement polling to impart an optical nonlinearity to a channel region (18)(S16). By controlling the voltage application to the channel region (18) having the optical nonlinearity, the light transmitted through the channel region (18) is controlled. Thus, an optical nonlinear waveguide for propagating single mode light is formed on a glass substrate.

Ein GE-ZUSÄTZLICHER SiO.sub.2 Dünnfilm (12) wird auf einem Glassubstrat (10) gebildet, und Metallfilm (14) wird darauf gebildet (S11 zu S13). Indem es den Metallfilm (14) ätzt, ist ein Paar Elektroden (14a, 14b) gegenseitig entgegengesetzt in einem vorbestimmten Abstand formed(S14). Ein isolierender Dünnfilm (16) wird auf dem isolierenden Film (12) und den Elektroden (14a, 14b) gebildet (S15). Beim Anwenden der ultravioletten Strahlung, wird eine Hochspannung zwischen den Elektroden (14a, 14b) angewendet um ultraviolette AufregungWahl durchzuführen, um eine optische Nichtlinearität zu einer Führung Region (18)(S16) zuzuteilen. Indem es die Spannung Anwendung auf der Führung Region steuert (18), welche die optische Nichtlinearität hat, ist das Licht, das durch die Führung Region (18) übertragen wird, kontrolliert. So wird ein optischer nichtlinearer Wellenleiter für das Fortpflanzen des Lichtes des einzelnen Modus auf einem Glassubstrat gebildet.