It has been discovered that for semiconductor devices such as MOSFETs, there is significant capacitive coupling in the front-end structure, i.e., the structure from and including the device substrate up to the first metal interconnect level. The invention therefore provides a device comprising a silicon substrate, an isolation structure in the substrate (e.g., shallow trench isolation), an active device structure (e.g., a transistor structure), a dielectric layer over the active device structure, and a metal interconnect layer over the dielectric layer (metal-1 level). At least one of the dielectric components of the front-end structure comprise a material exhibiting a dielectric constant less than 3.5. This relatively low dielectric constant material reduces capacitive coupling in the front-end structure, thereby providing improved properties in the device.

Было открыно что для прибора на полупроводниках such as mOSFETs, будет значительно емкостное соединение в front-end структуре, т.е., структуре от и вклюать субстрат приспособления до первого уровня interconnect металла. Вымысел поэтому обеспечивает приспособление состоя из субстрата кремния, структуры изоляции в субстрате (например, отмелой изоляции шанца), активно структуры приспособления (например, структуры транзистора), диэлектрического слоя над активно структурой приспособления, и слоя interconnect металла над диэлектрическим слоем (уровнем metal-1). По крайней мере один из диэлектрических компонентов front-end структуры состоит из материала exhibiting диэлектрическая константа более менее чем 3.5. Этот относительно низкий материал диэлектрической константы уменьшает емкостное соединение в front-end структуре, таким образом обеспечивая улучшенные свойства в приспособлении.