A spin valve (SV) magnetoresistive sensor is provided having an AP-pinned layer, a laminated ferromagnetic free layer and a non-magnetic electrically conductive spacer layer sandwiched between the AP-pinned layer and the free layer. The AP-pinned layer comprises first and second ferromagnetic layers separated by an antiparallel coupling (APC) layer. The laminated free layer comprises a third ferromagnetic layer of Co--Fe adjacent to the spacer layer and a fourth ferromagnetic layer of Co--Fe--Hf--O. The Co--Fe--Hf--O material of the fourth ferromagnetic layer has high resistivity resulting in reduced sense current shunting by the free layer. In addition, the metal oxide material of the fourth ferromagnetic layer is known to cause specular scattering of electrons. The reduced sense current shunting and the specular scattering of electrons both contribute to improving the GMR coefficient of the SV sensor.

Een magnetoresistive sensor van de rotatieklep (SV) wordt verstrekt hebbend een ap-Gespelde laag, een gelamineerde ferromagnetische vrije laag en een niet-magnetische elektrisch geleidende verbindingsstuklaag die tussen de ap-Gespelde laag en de vrije laag wordt geklemd. De ap-Gespelde laag bestaat eerst uit en tweede ferromagnetische lagen die door een antiparallel koppelings (APC) worden gescheiden laag. De gelamineerde vrije laag bestaat uit een derde ferromagnetische laag van Co -- Fe naast de verbindingsstuklaag en een vierde ferromagnetische laag van Co -- Fe -- HF -- O. Co -- Fe -- HF -- het materiaal van O van de vierde ferromagnetische laag heeft hoog weerstandsvermogen dat in het verminderde betekenis huidige afleiden door de vrije laag resulteert. Bovendien is het materiaal van het metaaloxyde van de vierde ferromagnetische laag gekend om het spiegelende verspreiden van elektronen te veroorzaken zich. Het verminderde betekenis huidige afleiden en het spiegelende verspreiden zich van elektronen allebei dragen tot het verbeteren van de coëfficiënt GMR van de sensor van SV bij.