A CVD apparatus for fabricating a titanium nitride thin film is provided. The apparatus comprises an evacuatable reaction vessel having an interior, a pumping apparatus capable of exhausting the reaction vessel and maintaining the interior of the reaction vessel at a prescribed pressure, a gas feeder for introducing a mixed gas into the reaction vessel, a substrate holder in the reaction vessel for holding a substrate to be coated with a titanium nitride thin film, and a heater for heating the substrate. The gas feeder is equipped with the following components: (a) a vaporizer for vaporizing tetrakis(dialkylamino)titanium (TDAAT) from a liquid source material, (b) a first flow controller capable of setting a flow rate of the vaporized TDAAT to any level within a range of 0.004-02 g/min, (c) a second flow controller capable of setting a flow rate of a first carrier gas mixed with the TDAAT to any level within a range of 100-1000 sccm, (d) a third flow controller capable of setting a flow rate of an added gas reactable with the TDAAT to any level within a range of 10-100 sccm, (e) a fourth flow controller capable of setting a flow rate of a second carrier gas being mixed with the added gas to any level within a range of 10-500 sccm, (f) a first supply conduit for mixing the TDAAT and the first carrier gas to create a first mixed gas and guiding the resulting first mixed gas into the reaction vessel, (g) a second supply conduit for mixing the added gas and the second carrier gas to create a second mixed gas and guiding the resulting second mixed gas into the reaction vessel, and (h) a shower head which is provided with a plurality of first nozzles connected to the first supply conduit, and a plurality of second nozzles connected to the second supply conduit, and which is configured such that the first and second mixed gases are fed into the reaction vessel through the nozzles.

Un'apparecchiatura di CVD per fabbricare una pellicola sottile del nitruro di titanio è fornita. L'apparecchio contiene un vaso evacuatable di reazione che ha un interiore, un apparecchio di pompaggio capace di esaurire il vaso di reazione e di effettuare l'interiore del vaso di reazione ad una pressione prescritta, un alimentatore del gas per introdurre un gas mixed nel vaso di reazione, un supporto del substrato nel vaso di reazione per la tenuta un substrato da ricoprire di pellicola sottile del nitruro di titanio e un riscaldatore per il riscaldamento del substrato. L'alimentatore del gas è dotato di seguenti componenti: (a) un vaporizer per il tetrakis(dialkylamino)titanium di vaporizzazione (TDAAT) da una materia grezza liquida, (b) un primo regolatore di flusso capace di fissare una portata del TDAAT vaporizzato a tutto il livello all'interno di una gamma di 0.004-02 g/min, (c) un secondo regolatore di flusso capace di fissare una portata di un primo gas inerte ha mescolato con il TDAAT a qualunque livello all'interno di una gamma di sccm 100-1000, (d) un terzo regolatore di flusso capace di fissare una portata di un gas aggiunto reactable con il TDAAT a tutto il livello all'interno di una gamma di sccm 10-100, (e) un regolatore di flusso di quarto capace di fissare una portata di un secondo gas inerte che è mescolato con aggiunto il gas a tutto il livello all'interno di una gamma di sccm 10-500, (f) un primo condotto del rifornimento per la miscelazione il TDAAT e del primo gas inerte per generare un primo gas mixed e guidare risultare gas in primo luogo mescolato nel vaso di reazione, (g) un secondo condotto del rifornimento per la miscelazione il gas aggiunto e del secondo gas inerte per generare un secondo gas mixed e guidare risultare in secondo luogo ha mescolato il gas nel vaso di reazione e (h) una testa dell'acquazzone che è fornita di una pluralità di primi ugelli ha collegato al primo condotto del rifornimento e ad una pluralità di secondi ugelli collegati al secondo condotto del rifornimento e che è configurata tali che il primo e secondo i gas mixed sono inseriti nel vaso di reazione attraverso gli ugelli.